پرتال دانشگاهی کشور پرتال دانشگاهی کشور
University Portal of Iran

کلمات مرتبط

    نتایج کارشناسی ارشد 95 نتایج ارشد 95 دفترچه کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد امریه سربازی استخدام تامین اجتماعی استخدام شرکت نفت استخدام آموزش و پرورش استخدام بانک پذیرش بدون کنکور منابع کارشناسی ارشد منابع دکتری استخدام شهرداری آگهی استخدام پليس استخدام نیروی انتظامی لیست همایش های بین المللی لیست سمینار لیست کنفرانس سالن همایش مقاله ISI دانشگاه پيام نور استخدام بانک پاسارگاد سازمان سما استخدام بانک شهر استخدام بانک گردشگری آگهی استخدام بانک صادرات استخدام بانک پارسیان پودمانی علمی کاربردی 95 استخدام دولتی استخدام استانداری استخدام آتش نشانی استخدام وزارت نيرو استخدام ديپلم استخدام برنامه نویس استخدام حسابدار نمونه سئوالات کارشناسی ارشد نمونه سئوالات دکتری ارزشیابی مدرک دانشگاه پیام نور فراگير دانشپذير مدرک دیپلم مدرک کارشناسی انتخاب رشته کنکور سراسری 95 عدح.هق daneshgah پردیس دانشگاهی شهریه دانشگاهها آگهی استخدام تهران azad karshenasi arshad kardani peyvasteh azmoon konkoor mba مجازی mba یکساله مدرک mba
مجموعه  اخبار دانشگاهی کشور / علمی فرهنگیارسال شده در   05 تیر 1390 - 26 June 2011

به گزارش خبرگزاري فارس، كنارهم قراردادن تعداد بسيار زيادي از ترانزيستورها در يك ريزتراشه منجر به قيمت‌هاي بسيار بالا مي‌شود و همچنين همپوشاني كاهش يافته بين كانال‌هاي نيمه‌رسانا كه جريان را از خود عبور مي‌دهند و درگاه فلزي نيز باعث مي‌شود كه روشن و خاموش كردن جريان بسيار سخت باشد.

اين امر منجر به ساخت "ترانزيستور اثر ميداني تيغه‌اي "، يا FinFET، مي‌شود كه در آن هر 2 لبه سيليكوني كانال تراشيده مي‌شود تا يك ساختار تپه‌اي برآمده ايجاد شود. اين كار به درگاه اجازه مي‌دهد اطراف لبه‌هاي كانال به پايين خم شود و فرآيند سوئيچ را بدون افزايش فضاي مورد نياز براي تراشه بهبود بخشد. حتي با پيچاندن كامل درگاه حول كانال مي‌توان كنترل بهتري اعمال كرد. ولي استفاده از تكنيك‌هاي ميكروساختي "بالا- پايين " متداول سيلكون براي قرار دادن فلز در زير كانال بدون ايجاد سازگاري در افزاره يك كار بسيار سخت است.

اين گروه پژوهشي نه تنها توانست براي اولين بار چنين ترانزيستورهاي نانوسيمي درگاه- پيچانده را بسازد بلكه توانست نشان دهد كه آن‌ها قادر هستند با يك فرآيند بسيار ساده بدون نياز به ليتوگرافي اضافي با يك دقت بسيار بالا طول درگاه-‌پيچانده را تنظيم كنند.

افزاره‌هاي ايجاد شده با اين روش داراي عملكرد الكتريكي بسيار بالا هستند و مي‌توانند به طور قابل اعتماد با بهره بالايي توليد شوند. اين افزاره‌ها علاوه براينكه پيشرفت بزرگي در تكنيك‌هاي نانوساختي هستند، راه‌هاي جديد و جذابي براي تحقيقات بنيادي باز مي‌كنند.

اين پژوهشگران جزئيات نتايج كار تحقيقاتي خود را در مجله‌ي Nano Letters منتشر كرده‌اند.

تگ ها ساخت ترانزيستورهاي نانوسيمي

پر بازدیدترین علمی فرهنگی

اخبار روزنامه ها

خبرنامه - شبکه های اجتماعی

آمار سایت