ساخت ترانزيستورهاي نانوسيمي جديد

به گزارش خبرگزاري فارس، كنارهم قراردادن تعداد بسيار زيادي از ترانزيستورها در يك ريزتراشه منجر به قيمت‌هاي بسيار بالا مي‌شود و همچنين همپوشاني كاهش يافته بين كانال‌هاي نيمه‌رسانا كه جريان را از خود عبور مي‌دهند و درگاه فلزي نيز باعث مي‌شود كه روشن و خاموش كردن جريان بسيار سخت باشد.

اين امر منجر به ساخت "ترانزيستور اثر ميداني تيغه‌اي "، يا FinFET، مي‌شود كه در آن هر 2 لبه سيليكوني كانال تراشيده مي‌شود تا يك ساختار تپه‌اي برآمده ايجاد شود. اين كار به درگاه اجازه مي‌دهد اطراف لبه‌هاي كانال به پايين خم شود و فرآيند سوئيچ را بدون افزايش فضاي مورد نياز براي تراشه بهبود بخشد. حتي با پيچاندن كامل درگاه حول كانال مي‌توان كنترل بهتري اعمال كرد. ولي استفاده از تكنيك‌هاي ميكروساختي "بالا- پايين " متداول سيلكون براي قرار دادن فلز در زير كانال بدون ايجاد سازگاري در افزاره يك كار بسيار سخت است.

اين گروه پژوهشي نه تنها توانست براي اولين بار چنين ترانزيستورهاي نانوسيمي درگاه- پيچانده را بسازد بلكه توانست نشان دهد كه آن‌ها قادر هستند با يك فرآيند بسيار ساده بدون نياز به ليتوگرافي اضافي با يك دقت بسيار بالا طول درگاه-‌پيچانده را تنظيم كنند.

افزاره‌هاي ايجاد شده با اين روش داراي عملكرد الكتريكي بسيار بالا هستند و مي‌توانند به طور قابل اعتماد با بهره بالايي توليد شوند. اين افزاره‌ها علاوه براينكه پيشرفت بزرگي در تكنيك‌هاي نانوساختي هستند، راه‌هاي جديد و جذابي براي تحقيقات بنيادي باز مي‌كنند.

اين پژوهشگران جزئيات نتايج كار تحقيقاتي خود را در مجله‌ي Nano Letters منتشر كرده‌اند.