پرتال دانشگاهی کشور پرتال دانشگاهی کشور
University Portal of Iran

کلمات مرتبط

    نتایج کارشناسی ارشد 97 نتایج ارشد 97 دفترچه کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد امریه سربازی استخدام تامین اجتماعی استخدام شرکت نفت استخدام آموزش و پرورش استخدام بانک پذیرش بدون کنکور منابع کارشناسی ارشد منابع دکتری استخدام شهرداری آگهی استخدام پليس استخدام نیروی انتظامی لیست همایش های بین المللی لیست سمینار لیست کنفرانس سالن همایش مقاله ISI دانشگاه پيام نور استخدام بانک پاسارگاد سازمان سما استخدام بانک شهر استخدام بانک گردشگری آگهی استخدام بانک صادرات استخدام بانک پارسیان پودمانی علمی کاربردی 97 استخدام دولتی استخدام استانداری استخدام آتش نشانی استخدام وزارت نيرو استخدام ديپلم استخدام برنامه نویس استخدام حسابدار نمونه سئوالات کارشناسی ارشد نمونه سئوالات دکتری ارزشیابی مدرک دانشگاه پیام نور فراگير دانشپذير مدرک دیپلم مدرک کارشناسی انتخاب رشته کنکور سراسری 97 عدح.هق daneshgah پردیس دانشگاهی شهریه دانشگاهها آگهی استخدام تهران azad karshenasi arshad kardani peyvasteh azmoon konkoor mba مجازی mba یکساله مدرک mba
 اخبار دانشگاهی کشور / شهر الكترونيك          04 دی 1391 - 24 December 2012




نسل جدید حافظه مغناطیسی با دستاورد چشمگیر محقق ایرانی


اختراعات ایرانی


تیم تحقیقاتی دانشگاه کالیفرنیا با همکاری محقق ایرانی با استفاده از ولتاژ الکتریکی به جای جریان الکتریکی به پیشرفت عمده ای در طراحی حافظه مغناطیسی (MRAM) فوق سریع و با ظرفیت بالا دست یافتند.

در حال حاضر حافظه مغناطیسی بر پایه فناوری موسوم به اسپین انتقال گشتاور (STT) استوار است که از اسپین الکترون استفاده می کند؛ اما این حافظه به مقدار معینی انرژی نیاز دارد و ظرفیت حافظه نیز محدود است.

حافظه مغناطیسی موسوم به MeRAM از پتانسیل بسیار بالایی برای آینده تراشه های حافظه در دستگاه هایی مانند تلفن همراه هوشمند، رایانه ها و ذخیره سازی داده حالت جامد (SSD) برخوردار است.

این حافظه ترکیبی از انرژی پایین با سرعت بالا در خواندن و نوشتن داده ها و توانایی فلش مانند برای حفظ داده ها در شرایطی است که هیچ انرژی اعمال نمی شود.

در حافظه MeRAM برای نوشتن داده ها، جریان الکتریکی STT با ولتاژ جایگزین می شود؛ این اقدام نیاز به حرکت تعداد زیادی از الکترون ها را در طول سیم کاهش می دهد؛ در این شرایط کارآمدی مصرف انرژی سیستم بین ۱۰ تا یک هزار برابر افزایش پیدا می کند.

«پدرام خلیلی امیری» دانشیار پژوهشی مهندسی برق دانشگاه کالیفرنیا، لس آنجلس(UCLA) و همکار این طرح تأکید می کند: توانایی سوئیچ مغناطیسی در مقیاس نانو با استفاده از ولتاژ پایین، یک دستاورد چشمگیر و پیشرفت سریع تحقیقات در حوزه مغناطیس محسوب می شود.

توسعه این فناوری بشکل یک محصول علاوه بر کاهش میزان مصرف انرژی، می تواند باعث فراهم شدن زمینه کاربردهای جدید شود که به کاهش هزینه ها و افزایش ظرفیت حافظه منجر می شود.





تگ ها حافظه مغناطیسی دستاورد چشمگیر محقق ایرانی

خبرنامه - شبکه های اجتماعی

آمار سایت

    تندیس جشنواره

    pagerank